今日公告顯示，近日公司研制的直拉區(qū)熔法（簡(jiǎn)稱“CFZ法”）晶體新型專用單晶爐，與用戶天津環(huán)歐取得重要進(jìn)展。天津環(huán)歐在公司研制的CFZ法單晶爐上，使用其自有的工藝技術(shù)，成功拉制出多顆高效太陽(yáng)能用晶體，比傳統(tǒng)設(shè)備拉晶速度提高了35%，月產(chǎn)能較傳統(tǒng)設(shè)備提高近25%，晶棒成本下降40%以上。該晶體棒材已在區(qū)熔爐上得到應(yīng)用驗(yàn)證。公司指出，該新型設(shè)備的成功研制大大降低了晶體生長(zhǎng)綜合成本，進(jìn)一步推進(jìn)了天津環(huán)歐的CFZ高光電轉(zhuǎn)換效率的區(qū)熔硅單晶光伏電池材料生產(chǎn)項(xiàng)目。

　　另外，晶盛機(jī)電天津環(huán)歐聯(lián)合承擔(dān)的國(guó)家科技重大專項(xiàng)《區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制》之“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”課題的區(qū)熔硅單晶爐也取得突破性進(jìn)展，成功拉出8英寸氣相摻雜單晶硅，也是目前國(guó)產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備上拉制出的尺寸最大的氣摻區(qū)熔單晶棒。

　　晶盛機(jī)電表示，相比于傳統(tǒng)的中子照射區(qū)熔硅單晶棒，采用氣相摻雜技術(shù)拉制的區(qū)熔硅單晶棒解決了中子輻照單晶硅生產(chǎn)周期長(zhǎng)、成本高、及晶體中照損傷的不利因素，可降低生產(chǎn)成本20%~30%，在IGBT大功率器件領(lǐng)域具有非常好的應(yīng)用前景。此項(xiàng)重大進(jìn)展表明公司的8英寸區(qū)熔硅單晶爐已具備產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，并預(yù)計(jì)將在2013年開始實(shí)現(xiàn)少量銷售。