2025年兩院院士增選有效候選人名單已于8月20日公布36。中國科學院有效候選人639人，中國工程院有效候選人660人。

       在這份名單中，多位長期深耕于金剛石及寬禁帶半導體領域的學者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長、超寬禁帶半導體電子學到碳化硅產業化等多個前沿領域。

       院士增選總體情況

       2025年兩院院士增選工作于4月25日正式啟動，中國科學院和中國工程院增選名額各不超過100名。

       中國科學院公布的增選有效候選人中，數學物理學部98人，化學部105人，生命科學和醫學學部125人，地學部96人，信息技術科學部61人，技術科學部104人，另有特別推薦領域50人。

       中國工程院有效候選人分布在各個學部，包括機械與運載工程學部68人，信息與電子工程學部68人，化工、冶金與材料工程學部71人等。

       金剛石及寬禁帶半導體領域候選人

       在此次候選人名單中，眾多長期深耕于金剛石及寬禁帶半導體領域的科研團隊脫穎而出，他們的入選不僅凸顯了該領域在科研層面的重要價值，更彰顯了其在國家戰略布局與產業應用中的關鍵地位。以下為相關研究團隊介紹（排名不分先后，如有遺漏，歡迎補充指正）：

       1、哈爾濱工業大學朱嘉琦團隊：長期專注于金剛石晶體材料、透明件材料以及高導熱復合材料等領域的研究。單晶金剛石憑借其極佳的電學性能、最高的材料熱導率、良好的化學惰性以及高的輻射抗性，被譽為終極半導體材料。該團隊在金剛石成工藝、金剛石高導熱及半導體器件應用等方面成果斐然，取得了顯著進展。

       2、西安電子科技大學張進成團隊：研究方向聚焦于超寬禁帶半導體電子學（涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁等）、寬禁帶半導體電子學（如氮化鎵等）以及大功率射頻芯片與電力電子芯片。近年來，團隊在超寬禁帶半導體研究領域取得一系列突破性成果，例如金剛石場效應晶體管在柵長為2μm時，仍能保持400mA/mm的高電流密度，并可在200°C環境下穩定工作。

       3、哈爾濱工業大學武高輝團隊：首創大氣環境下金屬基復合材料浸滲、成型、界面反控制同步制造技術。借助這一創新技術，實現了低成本、綠色化制造的金剛石/鋁和金剛石/銅超高導熱復合材料及凈成型構件，成功攻克高功率器件的散熱難題。

       4、華僑大學徐西鵬團隊：研究方向為“硬脆材料先進加工科學與技術”，重點探索“半導體材料精密超精密磨粒加工新技術”。目前，徐西鵬主持國家自然科學基金重點項目“晶圓級單晶金剛石襯底的活性硬質磨粒協同加工原理與關鍵技術研究”。

       5、山東大學徐現剛團隊：在碳化硅領域成績卓著，于碳化硅生長機理、高純半絕緣創制、裝備研發及產業化方面取得系列創造性成果。團隊先后突破2 - 12英寸碳化硅單晶生長技術，在我國首次攻克高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術壁壘。相關成果應用于雷達系統核心器件，已全面列裝于先進戰機、制導武器、大型戰艦等我軍主力裝備。

       6、北京大學沈波團隊：主要從事III族氮化物（GaN基）寬禁帶半導體物理、材料和器件研究。在強極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運規律、GaN基異質結構外延生長和缺陷控制等方面取得重要進展，在國內外同行中產生一定影響。此外，在GaN基異質結構二維電子氣自旋性質、GaN基量子阱子帶躍遷器件等方面也取得一系列成果。

       7、西安電子科技大學馬曉華團隊：二十余年來致力于寬禁帶半導體基礎創新和關鍵技術研究。“高能效超寬帶氮化鎵射頻功率放大器關鍵技術及在5G通信產業化應用”項目榮獲2023年度國家科學技術進步一等獎。

       8、中國科學院物理研究所陳小龍團隊：長期投身于功能晶體材料研究工作，發展了寬禁帶半導體碳化硅晶體生長新方法，推動我國碳化硅晶體生長和加工技術實現從無到有、從零到一的跨越，達成產業自主可控。通過發現并利用碳化硅/石墨異質雙界面的自發成核規律，發明電場 - 磁場 - 熱場高效耦合的單晶生長方法和裝備，攻克晶體擴徑這一學術難題。在國內率先開展成果轉化，創立國內首家碳化硅晶體產業化公司。提出界面能調控晶型理論，通過設計助溶劑成份，在國際上首次生長出具有實用價值的2 - 6英寸的3C - SiC晶體，使3C - SiC/SiO2柵氧界面態密度降低1個數量級。

       9、株洲中車時代半導體有限公司劉國友團隊：自2008年起主持大功率IGBT芯片與模塊技術的研究與開發工作，2010年著手組建功率半導體林肯研發中心，聚焦IGBT和碳化硅技術。

       領域重要意義與發展前景

       金剛石被稱為“終極半導體材料”，具有極佳的電學性能、最高的材料熱導率、良好的化學惰性和高的輻射抗性。在“后摩爾”時代，金剛石是實現電子、光電子和量子芯片的基礎性材料。

       2020年我國人造金剛石產量為207億克拉，較2015年增加51億克拉，占全球90%以上市場份額。隨著CVD（化學氣相沉積）法的發展，人造金剛石已經可與天然鉆石相媲美甚至在橫向面積、純度等方面更占優勢。

       寬禁帶半導體材料如碳化硅、氮化鎵等，是制造高溫、高頻、大功率電子器件的關鍵材料，在5G通信、新能源汽車、智能電網等領域具有廣泛應用前景。

       我國在寬禁帶半導體領域已經取得了顯著進展，突破了國際封鎖，實現了設備自主可控，對產業升級及下一代半導體領域實現彎道超車有著重要作用。