近期在國(guó)內(nèi)資本市場(chǎng)上，最引人關(guān)注的板塊概念非第三代半導(dǎo)體莫屬。第三代半導(dǎo)體為啥火了？除了一些可能出臺(tái)的政策助推外，關(guān)鍵在于第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”提供了機(jī)遇。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的物理特性更優(yōu)異，在光電子、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域?qū)l(fā)揮更大作用。隨著我國(guó)5G等新一代通信技術(shù)快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用將駛上快車道。

談到第三代半導(dǎo)體，揚(yáng)杰科技近年來(lái)在相關(guān)領(lǐng)域取得了一定成績(jī)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集設(shè)計(jì)、制造和銷售于一體的集成電路系統(tǒng)集成服務(wù)商（IDM），江蘇揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司多年位列中國(guó)功率半導(dǎo)體公司前列，該公司各類電力電子器件芯片、功率二極管等廣泛應(yīng)用于5G、電力電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域。尤其在第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等中高端功率芯片、器件領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技聯(lián)合北京大學(xué)、電子科技大學(xué)等高校，取得重大技術(shù)突破，填補(bǔ)了同類產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)的空白。

今年4月份，揚(yáng)杰科技功率半導(dǎo)體器件及集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目主體工程在揚(yáng)州開(kāi)工，該項(xiàng)目總投資30億元，通過(guò)建設(shè)高水平智能終端用超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測(cè)基地，實(shí)現(xiàn)高端功率半導(dǎo)體自主生產(chǎn)。

揚(yáng)杰科技總經(jīng)理劉從寧介紹，為加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，揚(yáng)杰科技近3年累計(jì)研發(fā)投入2.73億元，實(shí)現(xiàn)了從芯片制造到器件IDM垂直整合，目前已擁有各類授權(quán)專利273件，發(fā)明專利46件。