6月18日～20日，應(yīng)哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院材料科學(xué)與工程學(xué)科部張化宇教授的邀請，俄羅斯圣彼得堡國立電子技術(shù)大學(xué)微電子系泰洛夫·尤里(Tairov/Yury)教授來院講學(xué)，并與我院就科研和學(xué)生培養(yǎng)等方面達成了初步的合作意向。在此期間，泰洛夫·尤里還為我院師生作了“The growth and application of large-sized SiC crystal”（大尺寸碳化硅晶體的生長及其應(yīng)用研究）的精彩學(xué)術(shù)講座。講座由張化宇教授主持，材料學(xué)科部的相關(guān)師生聆聽了講座。
　　碳化硅晶體作為第三代半導(dǎo)體新型材料，由于其優(yōu)異的物理和化學(xué)等性能，在微電子和光電子器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，被視為一種關(guān)鍵的戰(zhàn)略材料。在本次講座中，泰洛夫·尤里教授首先簡要地介紹了圣彼得堡國立電子技術(shù)大學(xué)校況及其相關(guān)院系科研水平，著重闡述了其碳化硅晶體科研團隊在大尺寸碳化硅晶體的制備系統(tǒng)設(shè)計及制造、生長工藝探索及其應(yīng)用研究等方面近五十年的研究歷程，展示了其最新的相關(guān)研究成果；最后針對碳化硅晶體生長及其應(yīng)用領(lǐng)域未來的發(fā)展方向，進行了展望。
　　講座引起了與會師生的濃厚興趣。在講座結(jié)束后，師生們就有關(guān)自己感興趣的學(xué)術(shù)問題同泰洛夫·尤里教授進行了廣泛、深入的探討和交流。
　　
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　　尤里·泰洛夫教授簡介：
　　尤里·泰洛夫 科學(xué)博士/教授
　　圣彼得堡國立電子技術(shù)大學(xué)微電子系主任
　　圣彼得堡國立電子技術(shù)大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體實驗室主任
　　俄羅斯聯(lián)邦榮譽科學(xué)家
　　俄羅斯微電子專業(yè)教育委員會主席
　　主要研究成果簡介：
　　以尤里·泰洛夫教授為首的研發(fā)小組，針對碳化硅晶體的生長，于1978年發(fā)明了獨有的物理氣相傳輸法（PVT）法。該方法經(jīng)過長期不斷的完善，也是目前制備大尺寸碳化硅晶體的最佳方法。該科研小組已掌握用于生長直徑為4～5英寸SiC晶體專用設(shè)備的設(shè)計及制造技術(shù)，并已成功研制出直徑為4英寸以上的大尺寸SiC晶體，相關(guān)技術(shù)水平處于國際領(lǐng)先地位。
　　尤里·泰洛夫教授作為碳化硅晶體生長領(lǐng)域的知名專家，在國內(nèi)外高水平期刊發(fā)表論文近百篇，相關(guān)工作受到包括美國、瑞典、德國和法國等國際學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)界的廣泛重視和研發(fā)資助。