近日，韓國(guó)蔚山科學(xué)技術(shù)大學(xué)能源化學(xué)工學(xué)部教授白鐘范成功用合成氮和碳，開發(fā)出比硅功能強(qiáng)100倍的新的半導(dǎo)體材料。該項(xiàng)研究成果已刊登在國(guó)際學(xué)術(shù)雜志《Nature Communications》上。

       之前，很多研究人員認(rèn)為，替代硅半導(dǎo)體的理想物質(zhì)將是石墨的單原子層“石墨烯（Graphene）”。石墨烯之所以被稱為“革命性的新材料”是因?yàn)閷?dǎo)熱性能好且沒有電氣的抵抗。但僅由導(dǎo)電的部分，難以制造電路。

       而白鐘范研究小組將碳和氮以化學(xué)方式合成，在石墨烯內(nèi)制造了不導(dǎo)電的空間，從而制造出電路。該新材料達(dá)電和不達(dá)電時(shí)的信號(hào)傳達(dá)比率（閃 爍比率）為1000萬倍。到目前為止，性能最好的硅半導(dǎo)體的閃爍比率為10萬倍。閃爍比率越高，信號(hào)傳達(dá)越正確，被評(píng)價(jià)為最優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體。

       此外，新材料與不耐熱的半導(dǎo)體相比，還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是溫度在600攝氏度以上時(shí)也穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。

       目前用于半導(dǎo)體制造的硅在狹窄的空間里制造多條電路，因過熱而出故障或遭到損失。雖然三星電子上月開發(fā)了電路線的幅度10納米（1納米=10億分之1米）的硅半導(dǎo)體技術(shù)，但學(xué)術(shù)界認(rèn)為5納米達(dá)到上限。