按照LED上游材料制備所用的襯底劃分，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的有三種技術(shù)路線，即藍(lán)寶石襯底半導(dǎo)體照明、碳化硅襯底半導(dǎo)體照明和硅襯底半導(dǎo)體照明。其中前兩條技術(shù)路線的核心專利主要掌握在日亞、豐田合成、科銳、歐司朗、飛利浦等日美歐幾大巨頭企業(yè)手中，而硅襯底上GaN基LED專利技術(shù)為我國擁有，是實(shí)現(xiàn)LED產(chǎn)業(yè)突破國際專利封鎖的重要技術(shù)路線。

　　無論是藍(lán)綠光LED還是紅黃光LED，無論是鎵氮體系還是鋁鎵銦磷體系，無論是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底還是砷化鎵襯底，超高亮度LED芯片制造技術(shù)，均發(fā)展到剝離襯底制備薄膜LED路線上來。究其原因：一是外延膜轉(zhuǎn)移到新基板后，有利于散熱，降低結(jié)溫，提高發(fā)光效率，延長器件壽命;二是通過制作P面反光鏡和N面粗化，顯著提高出光效率;三是有利于提高芯片工作電流密度。與其它襯底相比，硅襯底半導(dǎo)體照明外延材料，非常適合走剝離襯底薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，而且硅材料比碳化硅和藍(lán)寶石要便宜很多，也容易得到大尺寸的襯底，這將顯著降低外延材料的生長成本。

　　當(dāng)然GaN與Si 襯底之間存在熱失配、晶格失配等問題，很容易出現(xiàn)龜裂現(xiàn)象，要在硅襯底上生長高質(zhì)量的氮化鎵基LED確實(shí)是一個嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。在這方面處于世界前列的晶能光電認(rèn)為，硅襯底LED照明暫未發(fā)現(xiàn)物理上的瓶頸，裂紋問題可以通過圖形和平面襯底等方式解決，位錯密度可以達(dá)到3-10×108cm2，且高電流密度下性能穩(wěn)定。

　　GaN/Si LED已走向市場，前景看好。但是目前bonding用金價格偏高，有待尋找替代方案。其實(shí)，SSL還有大量科學(xué)技術(shù)問題沒有解決，所以無論是設(shè)備還是外延芯片，都是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。而且SSL技術(shù)進(jìn)步過快，這也給投資者帶來了難題，投資需要慎之又慎。