申請號: 201410722422.X
       申請日: 2014.12.01
       國家/省市: 中國西安(87)
       公開號: 104496508A
       公開日: 2015.04.08
       主分類號: C04B 35/80(2006.01)
       分類號: C04B 35/80(2006.01); C04B 35/565(2006.01); C04B 38/00(2006.01)
       申請人: 西安交通大學

       發明人: 魯中良; 曹繼偉; 白樹釗; 李滌塵; 盧秉恒
       代理人: 陸萬壽
       代理機構: 西安通大專利代理有限責任公司(61200)
       申請人地址: 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號

       摘要： 本發明公開了一種基于光固化3D打印的SiC陶瓷基渦輪葉片的制造方法，本方法首先基于光固化3D打印技術制造渦輪葉片樹脂模具，使用非水基凝膠注模陶瓷漿料澆注葉片樹脂模具，經過固化、熱解碳化等工藝得到多孔的碳預制件；采用原位反應燒結技術，在1420～1700℃下，對碳預制件完成滲硅、排硅工藝，得到多孔的SiC陶瓷基復合材料渦輪葉片；最后通過化學氣相沉積/滲透的方法得到致密SiC陶瓷基復合材料渦輪葉片。該方法具有近凈成型、自由成型、復雜成型的特點，可以在較低的溫度下實現陶瓷零件的致密化的目的。

       主權利要求 1.基于光固化3D打印的SiC陶瓷基渦輪葉片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：1)利用光固化快速成型機制造渦輪葉片的樹脂模具；2)在短碳纖維表面形成陶瓷界面層/涂層；3)使用非水基凝膠注模工藝制備出漿料，在真空環境下，完成其對樹脂模具的澆注；4)經過預固化與完全交聯固化，得到陶瓷渦輪葉片素坯；在真空熱解爐內，完成陶瓷渦輪葉片素坯內高聚物的熱解碳化，得到孔隙結構可控的多孔碳預制體；5)在真空高溫燒結爐中，將多孔碳預制體與硅?；旌显?420～1700℃完成硅-碳反應與排硅工藝，得到多孔SiC陶瓷基復合材料渦輪葉片；6)通過化學氣相滲透在多孔SiC陶瓷基復合材料渦輪葉片的內部與表面沉積碳化硅基體，進行致密化，得到致密的Cf/SiC陶瓷基復合材料渦輪葉片。