精工技研確立了能夠高速、高精度研磨加工備受關(guān)注的新一代半導(dǎo)體底板材料——碳化硅（SiC）晶圓的技術(shù)。目前已經(jīng)開始面向研究機(jī)構(gòu)及元件廠商開發(fā)部門供應(yīng)樣品。
　　該技術(shù)采用了產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)總研）公開的技術(shù)。其特點(diǎn)是采用了不向碳化硅結(jié)晶施加多余壓力的研磨加工，能夠降低加工變形并提高晶圓面精度。表面光潔度為0.1nm，達(dá)到了外延膜生長所需的Ra值（0.3nm）以下；而且能夠通過縮短研磨時間提高量產(chǎn)效率，有望成為備受期待的新一代半導(dǎo)體底板——碳化硅晶圓的實(shí)用化技術(shù)。除碳化硅外，還可用于加工市場正在快速擴(kuò)大的白色LED底板材料藍(lán)寶石、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）結(jié)晶等。
　　樣品供應(yīng)已于2007年7月開始，今后，該公司預(yù)定在自己的工廠（千葉縣松戶市）內(nèi)完善小批量生產(chǎn)體制，構(gòu)筑量產(chǎn)體制。
　　碳化硅與目前半導(dǎo)體底板材料的主流——硅（Si）相比，具有耐高電壓、耐高溫、電力損失小的優(yōu)點(diǎn)，有望應(yīng)用于發(fā)電及輸電等電力設(shè)備、通信系統(tǒng)和工廠的電源裝置、電車和汽車的驅(qū)動裝置等需要控制高電壓高電流的裝置。但是，由于碳化硅硬度較高，難以進(jìn)行研磨加工，其量產(chǎn)技術(shù)過去一直是大問題。